杨琼教授课题组在《npj 计算材料学》发表研究成果

近日，杨琼教授课题组在计算材料领域国际著名期刊《npj 计算材料学》（npj Computational Materials，IF: 12.256)上以《基于二维α-In2Se3/半导体的平面铁电隧穿结》（In-plane ferroelectric tunnel junctions based on 2D α-In2Se3/semiconductor heterostructures）为题发表研究成果，研究了一种适用于信息存储的平面铁电隧道结。ok138cn太阳集团古天乐研究生刘子芳为论文第一作者，杨琼教授和姜杰副教授为共同通讯作者，ok138cn太阳集团官网为论文第一作者单位。

铁电隧道结是最有前景的小型化、低功耗信息存储器之一。传统钙钛矿铁电薄膜材料因尺寸效应抑制了铁电器件的小型化。本文利用单层厚度的α-In2Se3铁电体和六方IV-VI族半导体，设计了一类铁电/半导体范德华异质结和面内铁电隧道结。第一性原理研究表明，该类异质结能够在铁电极化的调控下，实现从宽带隙绝缘态到金属态的转变，从而使铁电隧道结呈现显著的电致电阻效应，为高密度铁电存储器的研制提供了有效方案。

相关隧道结结构

异质结能带调控

杨琼教授长期致力于铁电信息功能材料与元器件、电介质物理的研究，在国际及国内高水平学术期刊发表论文30余篇，相关研究成果为推动铁电物理和应用的发展起到了重要作用。相关研究得到了国家自然科学基金等多个项目的资助。