2018年11月6日下午，中国电子科技集团公司第五十八研究所抗辐射重点实验室副主任、高级工程师周昕杰以及硅基先进工艺研究室副主任、高级工程师吴建伟应邀在公司二教319室作学术报告。报告会由ok138cn太阳集团古天乐钟向丽教授主持，百余名师生参加。

　　   会议伊始，钟向丽教授代表材料学院全体师生热烈欢迎高级工程师周昕杰及吴建伟莅临公司作学术报告。首先，周昕杰工程师作了题为“空间辐射效应及集成电路加固技术”的学术报告。他用科学严谨的语言介绍了辐射环境以及对集成电路的影响及空间辐射环境产生的总剂量效应和单粒子效应机理，重点介绍了总剂量效应加固及单粒子效应加固技术以及在纳米级体硅CMOS电路中的加固技术，并将体硅CMOS工艺和S0I工艺辐射效应进行了比较，使大家受益匪浅。接着，高级工程师吴建伟以“0.18μm抗辐射加固工艺及微电子工艺集成技术”为主题，向大家介绍了58所抗辐射加固工艺情况和能力以及微电子工艺集成技术相关内容。

　　在互动环节，同学们踊跃提问，周昕杰、吴建伟细致地回答了同学们的问题，分享自己的见解，并与在场师生就相关学术问题、项目合作、人才培养等方面进行了广泛深入的交流与讨论。最后，钟向丽教授以及全体参会的师生对周昕杰工程师和吴建伟工程师能够来公司进行学术报告再次表示了感谢，报告会在一片掌声中取得圆满成功。 

　　周昕杰，东南大学博士，中国电子科技集团公司第58研究所博士后，比利时IMEC交流学者。长期从事抗辐射集成电路设计工作，电路类型包括单元库、接口、存储器、PLL等。主持过十多项国家重大项目的研究。

　　吴建伟，长期从事抗辐射集成电路工艺技术开发工作，主要类型包括体硅CMOS、SOI CMOS和高压CMOS。主持和参与过十多项预研、型谱、国防基础科研、核高基、973项目等国家重大项目。